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X射線線陣列探測(cè)系統(tǒng)
英國(guó)Sens-Tech 公司是X 射線探測(cè)器和信號(hào)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的專業(yè)開發(fā)商、供應(yīng)商，其在X 射線線掃描成像和CT 領(lǐng)域擁有豐富且成功的經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)。Sens-Tech 的系統(tǒng)集成信號(hào)探測(cè)、模擬信號(hào)放大、數(shù)字信號(hào)輸出于一體，有多種控制功能可選擇，可方便的與計(jì)算機(jī)連接，實(shí)現(xiàn)圖像或信號(hào)的數(shù)字化處理。
X射線線陣列探測(cè)系統(tǒng)
探測(cè)器有硅光電二管陣列和閃爍晶體組成。二管陣列可以是一維或者兩維掃描方式， 由具體應(yīng)用決定。選擇探測(cè)器需要充分考慮光譜響應(yīng)、電容、暗電流、靈敏度、探測(cè)面積以及串?dāng)_的影響，并選用與閃爍晶體的發(fā)射波段相匹配的探測(cè)器。并盡可能降低暗噪聲，減小偏移量，獲得的響應(yīng)。同時(shí)，讓各探測(cè)單元的探測(cè)面積和串?dāng)_達(dá)到*化。
閃爍晶體根據(jù)探測(cè)能量的不同，厚度和尺寸可以根據(jù)用戶的要求進(jìn)行定制。
Sens-Tech 公司目前主要提供四種X 射線數(shù)據(jù)采集產(chǎn)品：XDAS-V3 系列、XDAS-HE 系列、LINX 系列
Sens-Tech 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的參數(shù)
材料 | 厚度 | 能量范圍 | 每單位能量的信號(hào)輸出 | 信號(hào)衰減時(shí)間 | 備注 |
Silicon | 300μm | 5-30keV | zui高，直接轉(zhuǎn)化 | 1us (非偏置) | 光電二管直接探測(cè)，不使用閃爍晶體 |
Gadox(Tb) | 0.31mm | 20-100keV | 近似CsI | 2-3ms | 熒光條，無法進(jìn)行像素分割來防止串?dāng)_ |
Gadox A | 0.2mm | 低于Gadox(Tb)20% | ＜1ms |
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Gadox B | 0.4mm | 高于Gadox(Tb)10% | ＜1ms |
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CsI(Tl) | 0.4-4mm | 40-160keV | 光轉(zhuǎn)換效率zui高 | 2個(gè)不同的衰減時(shí)間， 微妙級(jí) | 像素被分割成陣列，以減少串?dāng)_ |
CdWO4 | 2.5-30mm | 150keV-9MeV | 約為CsI的25% | 20us | 像素被分割成陣列，以減少串?dāng)_，價(jià)格昂貴 |
GOS | 2.9mm | 100-200keV | 20% than CdWO4 | 3us | 抗強(qiáng)輻射 |
